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GAN041-650WSBQ

型號描述:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
氮化鎵場效應管 SOT247 650V 47.2A N-CH MOSFET
型號:
GAN041-650WSBQ
品牌:
Nexperia
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
30
1+NT$478.0888
10+NT$365.092
50+NT$316.1928
100+NT$305.9504
1000+NT$277.2056
30+NT$365.092
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$478.0888 數量:

合計: NT$478

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
187W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
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